微流控芯片制造技術(shù)介紹（二）

    微流控芯片制造技術(shù)介紹：

    d、曝出

    將剛制取好需要處理芯片圖形光刻掩膜附著在基片上，用紫外光等通過掩膜對光刻膠開展可選擇性直射。受陽光照射的光刻膠發(fā)生反應(yīng)。

    在實際工作中，快門速度由光刻膜、膠紙薄厚、燈源抗壓強度及其燈源與基片間隔確定。曝出的方法有有機化學曝出、觸碰和貼近式打印曝出、光學投影顯像曝出。

    e、成像

    用光膠配套設(shè)施顯影液根據(jù)化學法去掉經(jīng)曝出的光膠（正光膠）或沒經(jīng)曝出的光膠（負光膠），顯影液和成像時長的挑選對成像實際效果的影響很大。挑選顯影液原則就是，對于需要清除的那一部分膠紙溶解性大、融解速度更快，對于需要保存的那一部分溶解性小。成像時長視光致抗蝕劑的類型、膠紙薄厚、顯影液類型、成像溫度和操作步驟而不同。

    f、堅膜

    將成像后基片進行清潔后在一定溫度下烤制，以完全去掉成像后殘余于膠紙里的有機溶劑或水份，使膠紙與基片密切黏附，避免黏膠掉下來，并提升膠紙自身的抗蝕水平。堅膜溫度和時間會適宜。

    g、刻蝕

    蝕刻加工代表著應(yīng)用基酶化合物（一般是酸）以液態(tài)或蒸氣方式蝕刻加工掉（即融解）特點。蝕刻加工一般用于制造玻璃基或硅基微流體處理芯片。最先：應(yīng)用掩膜遮蓋夾層玻璃或硅基芯片上不應(yīng)該被蝕刻加工的那一部分。再將部件暴露于蝕刻劑下，清除用于制作生物芯片特點的原材料。蝕刻加工一般是制造玻璃或單晶硅片的唯一方式。

    依據(jù)刻蝕劑情況不一樣，可以將浸蝕加工工藝分成濕式刻蝕和干式刻蝕兩類。濕式刻蝕是由有機化學刻蝕液和被刻蝕化學物質(zhì)之間的化學變化要被刻蝕化學物質(zhì)脫離出來的刻蝕方式。大部分濕式刻蝕是非常容易掌控的各向異性浸蝕。

    特點是挑選比較高、均勻度好、對單晶硅片損害少，基本上適合所有金屬、夾層玻璃、塑膠等相關(guān)材料。主要缺點圖形保真度較弱，橫著腐蝕與此同時，常常會出現(xiàn)側(cè)面鉆蝕，以至刻蝕圖形最少線距受限制。

    2、熱壓法

    熱壓法是一種運用較廣泛快速復制電泳原理微通道的芯片制作技巧，適用PMMA與PC等熱塑性聚合物原材料。熱壓法的磨具能是孔徑在50um以內(nèi)的鐵絲或者刻蝕有凸突的微通道骨片陽膜，如鎳基陽模、光伏電池陽模、夾層玻璃陽模、微機械加工制造金屬陽模。此方法挺大快速復制，機器設(shè)備簡易，操作方便，但使用原材料比較有限。